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文献
J-GLOBAL ID:201802290495207930   整理番号:18A1758425

少量の酸化ラジカルを含む水素ラジカルを用いたKrFおよびArFフォトレジスト用ポリマの除去

Removal of Polymers for KrF and ArF Photoresist Using Hydrogen Radicals Containing a Small Amount of Oxidizing Radicals
著者 (7件):
Yamamoto Masashi
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
Taki Tomohiro
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
Sunada Takuto
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
Shikama Tomokazu
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
Nagaoka Shiro
(Department of Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
Umemoto Hironobu
(Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University)
Horibe Hideo
(Graduate School of Engineering, Osaka City University)

資料名:
Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)

巻: 31  号:ページ: 419-424(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: L0202A  ISSN: 0914-9244  CODEN: JSTEEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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