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著者 (6件)：
資料名：
巻： 65 号： 6 ページ： 1255-1263 発行年： 2018年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802290844963229
整理番号：18A1144372
1×nmバルクFinFET技術におけるフリップフロップのソフトエラー率の技術スケーリング傾向【JST・京大機械翻訳】
Technology Scaling Trend of Soft Error Rate in Flip-Flops in $1¥times$ nm Bulk FinFET Technology
Uemura Taiki
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Lee Soonyoung
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Monga Udit
(Semiconductor Research and Development Center, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Choi Jaehee
(Semiconductor Research and Development Center, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Lee Seungbae
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Pae Sangwoo
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65 号： 6 ページ： 1255-1263 発行年： 2018年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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