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著者 (6件)：
資料名：
巻： 6 号： 1 ページ： 100-105 発行年： 2018年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802290972823263
整理番号：18A0161097
ニューラルネットワークにおける-Ga-Zn-O薄膜デバイスシナプス要素として【Powered by NICT】
In-Ga-Zn-O Thin-Film Devices As Synapse Elements in a Neural Network
Kimura Mutsumi
(Graduate School of Information Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, Japan)
,
Koga Yuki
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu, Japan)
,
Nakanishi Hiroki
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu, Japan)
,
Matsuda Tokiyoshi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu, Japan)
,
Kameda Tomoya
(Graduate School of Information Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, Japan)
,
Nakashima Yasuhiko
(Graduate School of Information Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, Japan)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6 号： 1 ページ： 100-105 発行年： 2018年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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