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著者 (8件)：
資料名：
巻： 18 号： S ページ： S68-S74 発行年： 2018年
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802291329401943
整理番号：18A1248750
静電容量測定によるpチャネルpH感受性SINW ISFETにおける電流ドリフトの解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of current drift on p-channel pH-Sensitive SiNW ISFET by capacitance measurement
Kim Sihyun
(Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), Seoul National University, Seoul 151-742, Republic of Korea)
,
Kwon Dae Woong
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA 94720-1770, USA)
,
Kim Sangwan
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, Republic of Korea)
,
Lee Ryoongbin
(Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), Seoul National University, Seoul 151-742, Republic of Korea)
,
Kim Tae-Hyeon
(Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), Seoul National University, Seoul 151-742, Republic of Korea)
,
Mo Hyun-Sun
(School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul 136-702, Republic of Korea)
,
Kim Dae Hwan
(School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul 136-702, Republic of Korea)
,
Park Byung-Gook
(Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), Seoul National University, Seoul 151-742, Republic of Korea)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 18 号： S ページ： S68-S74 発行年： 2018年
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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