文献
J-GLOBAL ID:201902211810998606
整理番号:19A1798791
Sn媒介によるGeSnナノドットの低温形成
Low-temperature formation of GeSn nanodots by Sn mediation
著者 (8件):
OKAMOTO Hiroshi
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TAKITA Kensuke
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TAKITA Kensuke
(Hokkaido Electric Power Co., Inc.)
,
TSUSHIMA Kazuto
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TAWARA Takehiko
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TATENO Kouta
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
ZHANG Guoqiang
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
GOTOH Hideki
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SD
ページ:
SDDG09.1-SDDG09.8
発行年:
2019年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)