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文献
J-GLOBAL ID:201902213576416061   整理番号:19A1269082

パワーデバイス応用のためのシリコン結晶のバルク寿命に関連した欠陥挙動に関する密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

Density Functional Theory Study on Defect Behavior Related to the Bulk Lifetime of Silicon Crystals for Power Device Application
著者 (3件):
Tsuchiya Daiki
(Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan)
Sueoka Koji
(Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan)
Yamamoto Hidekazu
(Chiba Institute of Technology, 2-17-1 Tsudanuma, Narashino, Chiba 275-0016, Japan)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻: 216  号: 10  ページ: e1800615  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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