文献
J-GLOBAL ID:201902215216124117
整理番号:19A2114687
InAs/(Ga,Fe)Sb量子井戸ヘテロ構造におけるゲート制御近接磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】
Gate-controlled proximity magnetoresistance in an InAs / (Ga,Fe)Sb quantum well heterostructure
著者 (6件):
Takiguchi Kosuke
(The University of Tokyo, Japan)
,
Duc Anh Le
(Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan)
,
Chiba Takahiro
(National Institute of Technology, Fukushima College, Japan)
,
Koyama Tomohiro
(The University of Tokyo, Japan)
,
Chiba Daichi
(The University of Tokyo, Japan)
,
Tanaka Masaaki
(Center for Spintronics Research Network, The University of Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
CSW
ページ:
1
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)