文献
J-GLOBAL ID:201902224392787962
整理番号:19A0801988
GaN上の三元Ti-Si-C合金膜形成と接触特性【JST・京大機械翻訳】
Ternary Ti-Si-C alloy film formation on GaN and contact properties
著者 (3件):
Takahashi Y.
(Joining and Welding Research Institute, Osaka University, Japan)
,
Arai M.
(Joining and Welding Research Institute, Osaka University, Japan)
,
Maeda M.
(Dept. of Mechanical Eng., Nihon University, Japan)
資料名:
Ceramics International
(Ceramics International)
巻:
45
号:
7 PA
ページ:
9359-9362
発行年:
2019年
JST資料番号:
H0705A
ISSN:
0272-8842
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)