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著者 (5件)：
資料名：
巻： 58 号： SD ページ： SDDF13.1-SDDF13.4 発行年： 2019年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902228579097823
整理番号：19A1798782
Al薄膜ドーパント源によるp型4H-SiCへの低抵抗接触の形成
Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source
OKAMOTO Kento
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KIKUCHI Toshifumi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
IKEDA Akihiro
(Sojo Univ., Kumamoto, JPN)
,
IKENOUE Hiroshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ASANO Tanemasa
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： SD ページ： SDDF13.1-SDDF13.4 発行年： 2019年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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