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著者 (6件)：
資料名：
巻： 1953 号： 1 ページ： 050071-050071-4 発行年： 2018年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902230607989276
整理番号：19A0014325
GaAs/AlGaAsのヘテロ構造における2次元電子ガスからのサブミクロンスケールHall素子の作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】
Fabrication and characterization of sub-micron scale hall devices from 2-dimensional electron gas at the heterostrutcure of GaAs/AlGaAs
Keswani Neeti
(Department of Physics, Indian Institute of Technology, Delhi, India)
,
Nakajima Yoshikata
(Bio-Nano Electronic Research Centre, Toyo University 2100, Kujirai, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan)
,
Chauhan Neha
(Bio-Nano Electronic Research Centre, Toyo University 2100, Kujirai, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan)
,
Kumar Sakthi
(Bio-Nano Electronic Research Centre, Toyo University 2100, Kujirai, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan)
,
Ohno H.
(Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Das Pintu
(Department of Physics, Indian Institute of Technology, Delhi, India)
資料名：
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻： 1953 号： 1 ページ： 050071-050071-4 発行年： 2018年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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