文献
J-GLOBAL ID:201902231894407888
整理番号:19A1344884
30-3:a-InZnOの光誘起半導体-伝導体変換による高性能全溶液処理酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
30-3: High Performance All Solution Processed Oxide Thin-Film Transistor via Photo-induced Semiconductor-to-Conductor Transformation of a-InZnO
著者 (8件):
Bermundo Juan Paolo S.
(Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
,
Kulchaisit Chaiyanan
(Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
,
Corsino Dianne C.
(Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
,
Syairah Aimi
(Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
,
Fujii Mami N.
(Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
,
Ikenoue Hiroshi
(Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Ishikawa Yasuaki
(Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
,
Uraoka Yukiharu
(Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
資料名:
Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)
(Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻:
50
号:
1
ページ:
422-425
発行年:
2019年
JST資料番号:
E0907A
ISSN:
0097-966X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)