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著者 (4件)：
資料名：
巻： 2019 号： CSW ページ： 1 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902234240757636
整理番号：19A2114504
GaNベースパワーデバイス構造における空格子点型欠陥 イオン注入GaNおよびAl_2O_3/GaNにおける欠陥特性評価【JST・京大機械翻訳】
Vacancy-type defects in GaN-based power device structure - defect characterization in ion implanted GaN and Al2O3/GaN -
Uedono Akira
(Division of Applied Physics, Faculty of Pure and Applied Science, University of Tsukuba, Japan)
,
Egger Werner
(Universitaet der Bundeswehr Muenchen, Institut fuer Angewandte Physik und Messtechnik, Germany)
,
Hugenschmidt Christoph
(Technische Universitaet Muenchen, Germany)
,
Ishibashi Shoji
(CD-FMat, AIST, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： CSW ページ： 1 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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