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著者 (9件)：
資料名：
巻： 30 号： 17 ページ： 15912-15922 発行年： 2019年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902234415823607
整理番号：19A2517832
低電場下での無鉛チタン酸バリウムベースリラクサ強誘電体の同時達成高エネルギー密度と優れた熱安定性【JST・京大機械翻訳】
Simultaneously achieved high energy density and excellent thermal stability of lead-free barium titanate-based relaxor ferroelectric under low electric field
Chen Xiuli
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Li Xu
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Zhou Huanfu
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Sun Jie
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Li Xiaoxia
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Yan Xiao
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Sun Congcong
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Shi Junpeng
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
,
Pang Feihong
(Collaborative Innovation Center for Exploration of Hidden Nonferrous Metal Deposits and Development of New Materials in Guangxi, Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Guilin University of T...)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30 号： 17 ページ： 15912-15922 発行年： 2019年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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