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著者 (4件)：
資料名：
巻： 2019 号： CSW ページ： 1 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902235662892744
整理番号：19A2114495
MBE-MOCVDハイブリッド成長によるGaInP/GaAs/GaInAsSb三重接合太陽電池におけるボトムセルに及ぼすアニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Annealing on The Bottom Cell in GaInP/GaAs/GaInNAsSb Triple Junction Solar Cells by MBE/MOCVD Hybrid Growth
Miyashita Naoya
(Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan)
,
He Yilun
(Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan)
,
Ahsan Nazmul
(Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan)
,
Okada Yoshitaka
(Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： CSW ページ： 1 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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