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著者 (15件)：
資料名：
巻： 66 号： 2 ページ： 924-928 発行年： 2019年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902239742526592
整理番号：19A0299699
HfO_2/TaO_x二層構造に基づく自己整流抵抗スイッチング素子【JST・京大機械翻訳】
A Self-Rectifying Resistive Switching Device Based on HfO2/TaO $_{{x}}$ Bilayer Structure
Ma Haili
(Department of Micro/Nano Electronics, Key Laboratory for Thin Film and Micro Fabrication of Ministry of Education, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
,
Zhang Xumeng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wu Facai
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Luo Qing
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Gong Tiancheng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Yuan Peng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Xu Xiaoxin
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Yu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhao Shengjie
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhang Kaiping
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Lu Cheng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Zhang Peiwen
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Feng Jie
(Department of Micro/Nano Electronics, Key Laboratory for Thin Film and Micro Fabrication of Ministry of Education, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
,
Lv Hangbing
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Liu Ming
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66 号： 2 ページ： 924-928 発行年： 2019年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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