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著者 (5件)：
資料名：
巻： 2019 号： EDTM ページ： 85-87 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902239809718276
整理番号：19A1384915
オキシド-semiconductor/group-IV-半導体二重層トンネル電界効果トランジスタの材料設計【JST・京大機械翻訳】
Material design of oxide-semiconductor/group-IV-semiconductor bilayer tunneling field effect transistors
Kato Kimihiko
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Matsui Hiroaki
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Tabata Hitoshi
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Takenaka Mitsuru
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Takagi Shinichi
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： EDTM ページ： 85-87 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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