文献
J-GLOBAL ID:201902243022464202
整理番号:19A1483751
垂直異方性磁気トンネル接合の磁気および輸送特性に関する参照層に対するW挿入層スパッタリング条件の重要な役割【JST・京大機械翻訳】
Critical Role of W Insertion Layer Sputtering Condition for Reference Layer on Magnetic and Transport Properties of Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junction
著者 (5件):
Honjo Hiroaki
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Ikeda Shoji
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Sato Hideo
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Yasuhira Mitsuo
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Endoh Tetsuo
(Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Magnetics
(IEEE Transactions on Magnetics)
巻:
55
号:
7
ページ:
ROMBUNNO.3400904.1-4
発行年:
2019年
JST資料番号:
A0339B
ISSN:
0018-9464
CODEN:
IEMGAQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)