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著者 (7件)：
資料名：
巻： 2019 号： ISPSD ページ： 143-146 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902243900115579
整理番号：19A1607166
1200V級SiCデバイスの高効率エッジ終端のためのトレンチフィールドプレートエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】
Trench Field Plate Engineering for High Efficient Edge Termination of 1200 V-class SiC Devices
Liu Yong
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
,
Yang Wentao
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
,
Feng Hao
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
,
Onozawa Yuichi
(Fuji Electric Co., Ltd, Matsumoto, Nagoya, 390-0821, Japan)
,
Wakimoto Setsuko
(Fuji Electric Co., Ltd, Matsumoto, Nagoya, 390-0821, Japan)
,
Fujishima Naoto
(Fuji Electric Co., Ltd, Matsumoto, Nagoya, 390-0821, Japan)
,
Sin Johnny K.O.
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： ISPSD ページ： 143-146 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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