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著者 (5件)：
資料名：
巻： 2019 号： IWJT ページ： 1-2 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902244314239027
整理番号：19A2011590
エピタキシャルHfGe_2形成によるHf-ゲルマニウム化物/n-Ge(001)接触のSchottky障壁高さのさらなる低減【JST・京大機械翻訳】
Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2
Senga Kazuki
(Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan)
,
Shibayama Shigehisa
(Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan)
,
Sakashita Mitsuo
(Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan)
,
Zaima Shigeaki
(Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan)
,
Nakatsuka Osamu
(Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IWJT ページ： 1-2 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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