文献
J-GLOBAL ID:201902244493760045
整理番号:19A0796593
RECESSゲート構造を持つAlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタの電気特性【JST・京大機械翻訳】
Electrical Characteristic of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors With Recess Gate Structure
著者 (4件):
Shrestha Niraj Man
(Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Li Yiming
(Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Suemitsu Tetsuya
(Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Samukawa Seiji
(Center for mmWave Smart Radar System and Technologies, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
66
号:
4
ページ:
1694-1698
発行年:
2019年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)