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J-GLOBAL ID:201902246835069714   整理番号:19A1266265

ヘテロ構造としてのGaAs/AlxGa[数式:原文を参照]に基づく一次抵抗標準のための量子Hall素子【JST・京大機械翻訳】

Quantum Hall devices for the primary resistance standard based on the GaAs/AlxGa[Formula : see text] As heterostructure
著者 (5件):
Wang Xueshen
(Key Laboratory of the Electrical Quantum Standard of AQSIQ National Institute of Metrology (NIM), Beijing, P. R. China)
Zhong Qing
(Key Laboratory of the Electrical Quantum Standard of AQSIQ National Institute of Metrology (NIM), Beijing, P. R. China)
Li Jinjin
(Key Laboratory of the Electrical Quantum Standard of AQSIQ National Institute of Metrology (NIM), Beijing, P. R. China)
Zhong Yuan
(Key Laboratory of the Electrical Quantum Standard of AQSIQ National Institute of Metrology (NIM), Beijing, P. R. China)
Zhao Mengke
(Key Laboratory of the Electrical Quantum Standard of AQSIQ National Institute of Metrology (NIM), Beijing, P. R. China)

資料名:
International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)

巻: 33  号:ページ: 1950057  発行年: 2019年 
JST資料番号: T0396A  ISSN: 0217-9792  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: シンガポール (SGP)  言語: 英語 (EN)
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