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著者 (6件)：
資料名：
巻： 125 号： 21 ページ： 214504-214504-9 発行年： 2019年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902249879675564
整理番号：19A1379632
極薄In_0.53Ga_0.47As界面層を用いたp型GaAs_0.51Sb_0.49金属-酸化物-半導体界面特性の改善【JST・京大機械翻訳】
Improvement of p-type GaAs0.51Sb0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultrathin In0.53Ga0.47As interfacial layers
Gotow Takahiro
(The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Mitsuhara Manabu
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Hoshi Takuya
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Sugiyama Hiroki
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Takenaka Mitsuru
(The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
,
Takagi Shinichi
(The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 125 号： 21 ページ： 214504-214504-9 発行年： 2019年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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