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著者 (6件)：
資料名：
巻： 256 号： 6 ページ： e1800515 発行年： 2019年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902251082512850
整理番号：19A1398525
単層グラフェンにおける弱局在化の発展による普遍的コンダクタンスゆらぎ【JST・京大機械翻訳】
Universal Conductance Fluctuation Due to Development of Weak Localization in Monolayer Graphene
Terasawa Daiju
(Department of Physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya, 663-8501, Japan)
,
Fukuda Akira
(Department of Physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya, 663-8501, Japan)
,
Fujimoto Akira
(Applied Physics, Faculty of Engineering, Osaka Institute of Technology, Osaka, 535-8385, Japan)
,
Ohno Yasuhide
(Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, Tokushima, 770-8501, Japan)
,
Kanai Yasushi
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, 567-0047, Japan)
,
Matsumoto Kazuhiko
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, 567-0047, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 256 号： 6 ページ： e1800515 発行年： 2019年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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