文献
J-GLOBAL ID:201902252391169726
整理番号:19A1796903
ショートギャップマグネトロンスパッタリングとバッファー層の組み合わせによるGaドープZnOの抵抗率の低減と均一化
Reduction and uniformization of the resistivity of Ga-doped ZnO by combining short-gap magnetron sputtering and buffer layer
著者 (7件):
MATSUDA Yoshinobu
(Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
,
MATSUO Naoki
(Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
,
SAKAMOTO Kohei
(Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
,
SHINOHARA Masanori
(Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
,
SHINOHARA Masanori
(National Inst. of Technol., Nagasaki, JPN)
,
FURUSATO Tomohiro
(Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
,
YAMASHITA Takahiko
(Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SE
ページ:
SEED04.1-SEED04.5
発行年:
2019年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)