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著者 (9件)：
資料名：
巻： 7 ページ： 404-408 発行年： 2019年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902253851734297
整理番号：19A0898937
神経形態応用のためのTaO_xベースRRAMデバイスにおけるI-V線形性の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of $I-V$ Linearity in TaOx-Based RRAM Devices for Neuromorphic Applications
Sung Changhyuck
(Department of Material Science and Engineering, Center for Single Atom-Based Semiconductor Device, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Padovani Andrea
(MDLab s.r.l., Reggio Emilia, Italy)
,
Beltrando Bastien
(IM2NP, CNRS, UMR 7334, Aix-Marseille Universite ́, Marseille, France)
,
Lee Donguk
(Department of Material Science and Engineering, Center for Single Atom-Based Semiconductor Device, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Kwak Myunghoon
(Department of Material Science and Engineering, Center for Single Atom-Based Semiconductor Device, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Lim Seokjae
(Department of Material Science and Engineering, Center for Single Atom-Based Semiconductor Device, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
,
Larcher Luca
(Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria, Universita di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy)
,
Della Marca Vincenzo
(IM2NP, CNRS, UMR 7334, Aix-Marseille Universite ́, Marseille, France)
,
Hwang Hyunsang
(Department of Material Science and Engineering, Center for Single Atom-Based Semiconductor Device, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 7 ページ： 404-408 発行年： 2019年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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