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文献

J-GLOBAL ID：201902254592590316 整理番号：19A1618218

InGaSb三元合金半導体の成長に及ぼす重力と結晶方位の影響-国際宇宙ステーションと地上での実験

Effects of Gravity and Crystal Orientation on the Growth of InGaSb Ternary Alloy Semiconductors-Experiments at the International Space Station and on Earth-

著者 (14件)：

HAYAKAWA Yasuhuro

(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)

NIRMAL KUMAR Velu

(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)

ARIVANANDHAN Mukannan

(Anna Univ., Chennai, IND)

RAJESH Govindasamy

(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)

KOYAMA Tadanobu

(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)

MOMOSE Yoshimi

(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)

SAKATA Kaoruho

(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)

OZAWA Tetsuo

(Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., Shizuoka, JPN)

OKANO Yasunori

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

OKANO Yasunori

(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)

OKANO Yasunori

(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)

INATOMI Yuko

(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)

INATOMI Yuko

(SOKENDAI (Graduate Univ. for Advanced Studies), Kanagawa, JPN)

INATOMI Yuko

(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)

資料名：

International Journal of Microgravity Science and Application (Web) (International Journal of Microgravity Science and Application (Web))

巻： 34 号： 1 ページ： ROMBUNNO.340111 (WEB ONLY) 発行年： 2017年01月31日
JST資料番号： U1608A ISSN： 2188-9783 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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