文献
J-GLOBAL ID:201902254858052751
整理番号:19A1330831
自然バイアホールを用いた導電性AlNバッファ層の形成とSi基板上の垂直AlGaN Schottkyダイオードの実現【JST・京大機械翻訳】
Formation of conductive AlN buffer layer using spontaneous via-holes and realization of vertical AlGaN Schottky diode on a Si substrate
著者 (2件):
Kurose Noriko
(Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1, Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
,
Aoyagi Yoshinobu
(Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1, Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
125
号:
20
ページ:
205110-205110-10
発行年:
2019年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)