文献
J-GLOBAL ID:201902254930290731
整理番号:19A1789791
電位誘起劣化p型単結晶Si太陽電池モジュールにおける過渡キャリア再結合動力学【JST・京大機械翻訳】
Transient carrier recombination dynamics in potential-induced degradation p-type single-crystalline Si photovoltaic modules
著者 (4件):
Aminul Islam Mohammad
(Division of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan)
,
Matsuzaki Hiroyuki
(Research Institute for Measurement and Analytical Instrumentation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan)
,
Okabayashi Yuusuke
(Research Institute for Measurement and Analytical Instrumentation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan)
,
Ishikawa Yasuaki
(Division of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan)
資料名:
Progress in Photovoltaics
(Progress in Photovoltaics)
巻:
27
号:
8
ページ:
682-692
発行年:
2019年
JST資料番号:
W0463A
ISSN:
1062-7995
CODEN:
PPHOED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)