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J-GLOBAL ID:201902257054933069   整理番号:19A1893510

溶液処理金属酸化物薄膜トランジスタの最近の進歩【JST・京大機械翻訳】

Recent Advances of Solution-Processed Metal Oxide Thin-Film Transistors
著者 (5件):
Xu Wangying
(College of Materials Science and Engineering, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen University, China)
Li Hao
(Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong SAR, China)
Xu Jian-Bin
(Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong SAR, China)
Wang Lei
(Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong SAR, China)
Wang Lei
(Department of Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanjing Tech University, China)

資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)

巻: 10  号: 31  ページ: 25878-25901  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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