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資料名：
巻： 58 号： 9 ページ： 091001.1-091001.6 発行年： 2019年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902261855209875
整理番号：19A2686134
GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発性メモリのスイッチング特性
Switching characteristics of nonvolatile memory using GaN/AlN resonant tunneling diodes
NAGASE Masanori
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI Tokio
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： 9 ページ： 091001.1-091001.6 発行年： 2019年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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