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著者 (5件)：
資料名：
巻： 115 号： 5 ページ： 053105-053105-5 発行年： 2019年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902263059502268
整理番号：19A1902581
半導体表面上に堆積した孤立およびクラスタ化Si量子ドットにおけるピコ秒電子動力学の比較【JST・京大機械翻訳】
Comparison of picosecond electron dynamics in isolated and clustered Si quantum dots deposited on a semiconductor surface
Fukumoto Keiki
(High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tsukuba, Ibaraki 305-0801 Japan)
,
Seyhan Ayse
(Nigde Omer Halisdemir University, Nanotechnology Application and Research Center, 51240 Nigde, Turkey)
,
Onda Ken
(Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Oda Shunri
(Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan)
,
Koshihara Shin-ya
(Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 115 号： 5 ページ： 053105-053105-5 発行年： 2019年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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