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J-GLOBAL ID：201902266691467670 整理番号：19A0457459

次世代の不揮発性メモリに向けたハイブリッドRRAM 酸素空孔と金属イオンの結合【JST・京大機械翻訳】

Hybrid-RRAM toward Next Generation of Nonvolatile Memory: Coupling of Oxygen Vacancies and Metal Ions

著者 (11件)：

Sassine Gilbert

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Nail Cecile

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Blaise Philippe

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Sklenard Benoit

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Bernard Mathieu

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Gassilloud Remy

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Marty Aurelie

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Veillerot Marc

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Vallee Christophe

(LTM CNRS, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Nowak Etienne

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

,

Molas Gabriel

(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

資料名：

Advanced Electronic Materials (Advanced Electronic Materials)

巻： 5 号： 2 ページ： e1800658 発行年： 2019年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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