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著者 (8件)：
資料名：
巻： 6 号： 21 ページ： e1901180 発行年： 2019年
JST資料番号： W2484A ISSN： 2196-7350 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902268552321033
整理番号：19A2743732
ランタンをドープしたHf_0.5Zr_0.5O_2キャパシタにおける強誘電信頼性性能へのMajor寄与体としてのバルク脱分極場【JST・京大機械翻訳】
Bulk Depolarization Fields as a Major Contributor to the Ferroelectric Reliability Performance in Lanthanum Doped Hf0.5Zr0.5O2 Capacitors
Mehmood Furqan
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Hoffmann Michael
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Lomenzo Patrick D.
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Richter Claudia
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Materano Monica
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Mikolajick Thomas
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Mikolajick Thomas
(Chair of Nanoelectronic Materials, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany)
,
Schroeder Uwe
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
資料名：
Advanced Materials Interfaces
(Advanced Materials Interfaces)
巻： 6 号： 21 ページ： e1901180 発行年： 2019年
JST資料番号： W2484A ISSN： 2196-7350 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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