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著者 (3件)：
資料名：
巻： 2019 号： IPC ページ： 1-2 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902270816023665
整理番号：19A2770448
紫外レーザダイオード用のタイプII AlInN/ZnGeO_2量子井戸の利得特性【JST・京大機械翻訳】
Gain Properties of Type-II AlInN / ZnGeN2 Quantum Wells for Ultraviolet Laser Diodes
Fu Hanlin
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA)
,
Goodrich Justin C.
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA)
,
Tansu Nelson
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IPC ページ： 1-2 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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