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著者 (7件)：
資料名：
巻： 100-101 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902273451496469
整理番号：19A2745031
エージング試験後の0.15μm GaN技術におけるトラップ誘起パワードリフトの研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of trap induced power drift on 0.15 μm GaN technology after aging tests
Magnier F.
(United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France)
,
Magnier F.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
,
Lambert B.
(United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France)
,
Chang C.
(United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France)
,
Curutchet A.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
,
Labat N.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
,
Malbert N.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 100-101 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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