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著者 (11件)：
資料名：
巻： 2019 号： CSW ページ： 1 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902274625979198
整理番号：19A2114516
窒素イオン注入により形成されたガードリングを持つ垂直Ga_2O_3Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
Lin Chia-Hung
(National Institute of Information and Communications Technology, Japan)
,
Yuda Yohei
(Mitsubishi Electric Corporation, Japan)
,
Wong Man Hoi
(National Institute of Information and Communications Technology, Japan)
,
Sato Mayuko
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Takekawa Nao
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Konishi Keita
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Watahiki Tatsuro
(Mitsubishi Electric Corporation, Japan)
,
Yamamuka Mikio
(Mitsubishi Electric Corporation, Japan)
,
Murakami Hisashi
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Kumagai Yoshinao
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Higashiwaki Masataka
(National Institute of Information and Communications Technology, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： CSW ページ： 1 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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