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著者 (5件)：
資料名：
巻： 58 号： 5 ページ： 050918.1-050918.4 発行年： 2019年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902275238266261
整理番号：19A1522633
修正Naフラックス法により成長させたGaNバルク単結晶中の貫通転位における局所電流漏れ
Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method
HAMACHI Takeaki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TOHEI Tetsuya
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
IMANISHI Masayuki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI Yusuke
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SAKAI Akira
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： 5 ページ： 050918.1-050918.4 発行年： 2019年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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