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J-GLOBAL ID：201902275609090837 整理番号：19A1890969

HBN/WS_2/MOS_2/hBNのvan der Waalsヘテロ構造における直接および間接層間励起子【JST・京大機械翻訳】

Direct and Indirect Interlayer Excitons in a van der Waals Heterostructure of hBN/WS₂/MoS₂/hBN

著者 (13件)：

Okada Mitsuhiro

(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)

Kutana Alex

(Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States)

Kureishi Yusuke

(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)

Kobayashi Yu

(Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan)

Saito Yuika

(Department of Chemistry, Gakushuin University, Japan)

Saito Tetsuki

(Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan)

Watanabe Kenji

(National Institute for Materials Science, Japan)

Taniguchi Takashi

(National Institute for Materials Science, Japan)

Gupta Sunny

(Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States)

Miyata Yasumitsu

(Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan)

Yakobson Boris I.

(Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States)

Shinohara Hisanori

(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)

Kitaura Ryo

(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)

資料名：

ACS Nano (ACS Nano)

巻： 12 号： 3 ページ： 2498-2505 発行年： 2018年
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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