文献
J-GLOBAL ID:201902276681474170
整理番号:19A0495282
106Gbit/s PAM4応用のためのIII-V化合物に基づく42GHz帯域幅アバランシェフォトダイオード【JST・京大機械翻訳】
A 42-GHz Bandwidth Avalanche Photodiodes Based on III-V Compounds for 106-Gbit/s PAM4 Applications
著者 (5件):
Nada Masahiro
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
,
Yoshimatsu Toshihide
(NTT Device Innovation Center, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
,
Nakajima Fumito
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
,
Sano Kimikazu
(NTT Device Innovation Center, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
,
Matsuzaki Hideaki
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Japan)
資料名:
Journal of Lightwave Technology
(Journal of Lightwave Technology)
巻:
37
号:
2
ページ:
260-265
発行年:
2019年
JST資料番号:
H0922A
ISSN:
0733-8724
CODEN:
JLTEDG
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)