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著者 (3件)：
資料名：
巻： 512 ページ： 74-77 発行年： 2019年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902279038477659
整理番号：19A0626049
(113)Aおよび(113)B GaAs基板上に成長させたGaAs/Ge/GaAsおよびAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造における副格子反転【JST・京大機械翻訳】
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs heterostructures grown on (1 1 3)A and (1 1 3)B GaAs substrates
Lu Xiangmeng
(Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, Tokushima 770-8506, Japan)
,
Minami Yasuo
(Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, Tokushima 770-8506, Japan)
,
Kitada Takahiro
(Graduate School of Technology, Industrial and Social Sciences, Tokushima University, Tokushima 770-8506, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 512 ページ： 74-77 発行年： 2019年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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