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J-GLOBAL ID：201902281222090713 整理番号：19A0400353

HfO_2/Si-(サブ)酸化物/Si(110)およびHfSi_2/Si-(サブ)酸化物/Si(110)島上のシリコン(サブ)酸化物の局所価電子状態【JST・京大機械翻訳】

Local valence electronic states of silicon (sub)oxides on HfO₂/Si-(sub)oxide/Si(110) and HfSi₂/Si-(sub)oxide/Si(110) Islands

著者 (5件)：

Kakiuchi Takuhiro

(Department of Chemistry, Faculty of Science, Ehime University, 2-5 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan)

Ikeda Kyouhei

(Department of Chemistry, Faculty of Science, Ehime University, 2-5 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan)

Mase Kazuhiko

(Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan)

Mase Kazuhiko

(SOKENDAI (School of High Energy Accelerator Science, The Graduate University for Advanced Studies), 1-1 Oho, Tsukuba 305-0801, Japan)

Nagaoka Shin-ichi

(Department of Chemistry, Faculty of Science, Ehime University, 2-5 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan)

資料名：

Surface Science (Surface Science)

巻： 681 ページ： 9-17 発行年： 2019年
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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