文献
J-GLOBAL ID:201902281338355138
整理番号:19A2039177
Rashba型スピン-軌道結合によるスピン分裂Fermi面に起因する電荷コンダクタンスの非従来型ゲート電圧依存性【JST・京大機械翻訳】
Unconventional gate voltage dependence of the charge conductance caused by spin-splitting Fermi surface by Rashba-type spin-orbit coupling
著者 (3件):
Oshima Daisuke
(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
,
Taguchi Katsuhisa
(Yukawa Institute for Theoretical Physics, Kyoto University, Kyoto, 606-8502, Japan)
,
Tanaka Yukio
(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻:
114
ページ:
Null
発行年:
2019年
JST資料番号:
W1066A
ISSN:
1386-9477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)