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文献
J-GLOBAL ID:201902285482275261   整理番号:19A2365411

CrGeTe_3基板上に成長させた(Bi_xSb_1-x)_2Te_3薄膜における高近接性誘起異常Hall効果の記録【JST・京大機械翻訳】

Record High-Proximity-Induced Anomalous Hall Effect in (BixSb1-x)2Te3 Thin Film Grown on CrGeTe3 Substrate
著者 (9件):
Yao Xiong
(Center for Quantum Materials Synthesis and Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States)
Gao Bin
(Department of Physics and Astronomy, Rice University, Texas, United States)
Han Myung-Geun
(Condensed Matter Physics and Materials Science, Brookhaven National Laboratory, New York, United States)
Jain Deepti
(Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States)
Moon Jisoo
(Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States)
Kim Jae Wook
(Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States)
Zhu Yimei
(Condensed Matter Physics and Materials Science, Brookhaven National Laboratory, New York, United States)
Cheong Sang-Wook
(Center for Quantum Materials Synthesis and Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States)
Oh Seongshik
(Center for Quantum Materials Synthesis and Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States)

資料名:
Nano Letters  (Nano Letters)

巻: 19  号:ページ: 4567-4573  発行年: 2019年 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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