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著者 (4件)：
資料名：
巻： 514 ページ： 45-48 発行年： 2019年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201902285541946469
整理番号：19A0798350
SiドープGaAsNにおけるSiドーピング機構【JST・京大機械翻訳】
Si doping mechanism in Si doped GaAsN
Tsukasaki T.
(Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Hiyoshi R.
(Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Fujita M.
(NIT Ichinoseki College, Takanashi, Hagisyo, Ichinoseki-shi, Iwate, Japan)
,
Makimoto T.
(Waseda Univ., 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 514 ページ： 45-48 発行年： 2019年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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