文献
J-GLOBAL ID:201902286245361525
整理番号:19A2304306
WSe_2電界効果トランジスタにモノリシックに集積したVO_2におけるゲート調整可能な熱的金属-絶縁体転移【JST・京大機械翻訳】
Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO2 Monolithically Integrated into a WSe2 Field-Effect Transistor
著者 (10件):
Yamamoto Mahito
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
,
Nouchi Ryo
(Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan)
,
Nouchi Ryo
(JST PRESTO, Saitama, Japan)
,
Kanki Teruo
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
,
Hattori Azusa N.
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
,
Hattori Azusa N.
(JST PRESTO, Saitama, Japan)
,
Watanabe Kenji
(National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
,
Ueno Keiji
(Department of Chemistry, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan)
,
Tanaka Hidekazu
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
11
号:
3
ページ:
3224-3230
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)