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J-GLOBAL ID：201902286555820504 整理番号：19A1143161

NH_3ソース分子ビームエピタクシーにより成長させたEuおよびMg共ドープGaNの単一光学サイトの観察【JST・京大機械翻訳】

Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH₃-source molecular beam epitaxy

著者 (6件)：

Sekiguchi Hiroto

(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)

Sakai Masaru

(Department of Research Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering Division of Engineering Electromechanical and Information System Engineering, University of Yamanashi, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan)

Kamada Takuho

(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)

Yamane Keisuke

(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)

Okada Hiroshi

(Institute of Liberal Arts and Sciences, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)

Wakahara Akihiro

(Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 125 号： 17 ページ： 175702-175702-5 発行年： 2019年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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