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J-GLOBAL ID：201902288788305656 整理番号：19A1822683

傾斜量子井戸構造を持つAlGaN系深紫外LEDの性能向上【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Performance of an AlGaN-Based Deep-Ultraviolet LED Having Graded Quantum Well Structure

著者 (8件)：

Yu Huabin

(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)

Chen Qian

(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)

Ren Zhongjie

(Jacobs School of Engineering, University of California San Diego, La Jolla, CA, USA)

Tian Meng

(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)

Long Shibing

(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)

Dai Jiangnan

(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)

Chen Changqing

(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)

Sun Haiding

(School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, China)

資料名：

IEEE Photonics Journal (IEEE Photonics Journal)

巻： 11 号： 4 ページ： ROMBUNNO.8201006.1-6 発行年： 2019年
JST資料番号： W2436A ISSN： 1943-0655 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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