文献
J-GLOBAL ID:201902290115860468
整理番号:19A1042746
化学浴堆積によりイオンめっきしたGaドープZnOシード層上に成長させたZnOナノロッドの構造と光ルミネセンス特性およびポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホナート/ZnOナノロッドのヘテロ構造の作製【JST・京大機械翻訳】
Structural and photoluminescence properties of ZnO nanorods grown on ion-plated Ga-doped ZnO seed layers by chemical bath deposition and fabrication of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)/ZnO nanorods heterostructures
著者 (5件):
Terasako Tomoaki
(Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan)
,
Obara Shohei
(Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan)
,
Yagi Masakazu
(National Institute of Technology, Kagawa College, 551 Koda, Takuma-cho, Mitoyo, Kagawa 769-1192, Japan)
,
Nomoto Junichi
(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan)
,
Yamamoto Tetsuya
(Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
677
ページ:
109-118
発行年:
2019年
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)