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J-GLOBAL ID：201902290714575526 整理番号：19A1716800

4H-SiCパワーデバイス作製のための高濃度,低温,低コストエキシマレーザドーピング【JST・京大機械翻訳】

High-Concentration, Low-Temperature, and Low-Cost Excimer Laser Doping for 4H-SiC Power Device Fabrication

著者 (7件)：

Imokawa Kaname

(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)

,

Kikuchi Toshifumi

(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)

,

Okamoto Kento

(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)

,

Nakamura Daisuke

(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)

,

Ikeda Akihiro

(Sojo University, Department of Computer and Information Sciences, Sojo Univ Kumamoto Japan 4-22-1 Ikeda, Nishi-ku)

,

Asano Tanemasa

(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)

,

Ikenoue Hiroshi

(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)

資料名：

Materials Science Forum (Materials Science Forum)

巻： 963 ページ： 403-406 発行年： 2019年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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