文献
J-GLOBAL ID:201902291048915964
整理番号:19A2919067
Mgイオン注入Si中の結晶学的に配向した準安定Mg_1.8Siの形成【JST・京大機械翻訳】
Formation of Crystallographically Oriented Metastable Mg1.8Si in Mg Ion-Implanted Si
著者 (6件):
Kobayashi Yuki
(Department of Chemistry, Konan University, Hyogo, Japan)
,
Naito Muneyuki
(Department of Chemistry, Konan University, Hyogo, Japan)
,
Sudoh Koichi
(The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
,
Gentils Aurelie
(Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France)
,
Bachelet Cyril
(Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France)
,
Bourcois Jerome
(Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France)
資料名:
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻:
19
号:
12
ページ:
7138-7142
発行年:
2019年
JST資料番号:
W1323A
ISSN:
1528-7483
CODEN:
CGDEFU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)